SK海力士推进散热新技术 嵌入元件可降低30%热阻

2026-10-23 · tc-giraffe.com

据韩媒ETNews报道，业内人士21日透露， SK海力士 近期已与国内外材料、零部件和设备等上游合作伙伴（SoBuJang）接洽，推进iHBM技术研发并做好量产准备。据悉，双方讨论了iHBM的实际产品应用和量产计划。 iHBM为 SK海力士 下一代 高带宽内存 （HBM）技术，旨在降低HBM的发热量 ，是 SK海力士 在竞争激烈的HBM市场中保持领先地位的战

据韩媒ETNews报道，业内人士21日透露， SK海力士 近期已与国内外材料、零部件和设备等上游合作伙伴（SoBuJang）接洽，推进iHBM技术研发并做好量产准备。据悉，双方讨论了iHBM的实际产品应用和量产计划。

iHBM为 SK海力士 下一代 高带宽内存 （HBM）技术，旨在降低HBM的发热量 ，是 SK海力士 在竞争激烈的HBM市场中保持领先地位的战略举措。

一位熟悉情况的SK海力士合作伙伴公司负责人表示：“SK海力士正在探索与上游”铲子“公司合作，以将iHBM应用于实际工艺流程并实现商业化。”他还补充道：“他们似乎已经在评估实际量产可行性的同时，着手进行商业化进程。”

伴随AI算力需求持续激增，HBM不断通过增加堆叠层数、提升运行速度来实现性能的迭代升级，同时也带来发热量攀升的难题。因此，有效控制连接HBM与GPU的物理互联通道产生的热量，正成为下一代HBM技术竞争力的核心。

iHBM由SK海力士在今年5月26日发布，特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。

传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控 元件 （ICE）——绝缘、高导热性的硅基材料，构建专用热量排出通道（Heat Path）。 相较传统方案，该技术能将HBM热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。

据SK海力士介绍， 该技术在量产可行性方面也具备显著优势 。产品采用经市场充分验证的先进MR-MUF晶圆级封装（WLP）工艺，可实现稳定规模化量产。此外，该技术与客户现有系统级封装（SiP）环境具备高度设计兼容性，客户无需进行大规模设计改动，即可直接部署，从而有效降低了实际导入门槛。

SK海力士 计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品 ，以满足高性能计算（HPC）、AI 数据中心 等超高度集成、高带宽应用场景的严苛散热管控需求。

根据其路线图，HBM5预计将于2029年发布。目前，该公司正在使用 台积电 的 先进封装 技术CoWoS对HBM5进行验证。